Diodes Incorporated - ZXMN6A11DN8TC

KEY Part #: K6524557

[3792ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    ZXMN6A11DN8TC
    ผู้ผลิต:
    Diodes Incorporated
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TC electronic components. ZXMN6A11DN8TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A11DN8TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMN6A11DN8TC คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : ZXMN6A11DN8TC
    ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
    ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2.5A
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 5.7nC @ 10V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 330pF @ 40V
    พลังงาน - สูงสุด : 1.8W
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SOP