Vishay Siliconix - SQJB80EP-T1_GE3

KEY Part #: K6525278

SQJB80EP-T1_GE3 ราคา (USD) [164478ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.22488
  • 3,000 pcs$0.19003

ส่วนจำนวน:
SQJB80EP-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SQJB80EP-T1_GE3 electronic components. SQJB80EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJB80EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJB80EP-T1_GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SQJB80EP-T1_GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
ชุด : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 30A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 19 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 32nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1400pF @ 25V
พลังงาน - สูงสุด : 48W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SO-8 Dual
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SO-8 Dual

คุณอาจสนใจด้วย