Vishay Siliconix - SIA914ADJ-T1-GE3

KEY Part #: K6523776

SIA914ADJ-T1-GE3 ราคา (USD) [4052ชิ้นสต็อก]

  • 3,000 pcs$0.08092

ส่วนจำนวน:
SIA914ADJ-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIA914ADJ-T1-GE3 electronic components. SIA914ADJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA914ADJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA914ADJ-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIA914ADJ-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 43 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 900mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 12.5nC @ 8V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 470pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด : 7.8W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SC-70-6 Dual
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SC-70-6 Dual

คุณอาจสนใจด้วย
  • PMGD175XN,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

  • FDG6318P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

  • UPA1764G-E2-AZ

    Renesas Electronics America

    MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC.

  • TMC1340-SO

    Trinamic Motion Control GmbH

    MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC.

  • SI4618DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.

  • SP8M4FU6TB

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.