Infineon Technologies - IRF8513TRPBF

KEY Part #: K6524186

[3916ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRF8513TRPBF
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IRF8513TRPBF electronic components. IRF8513TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF8513TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF8513TRPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRF8513TRPBF
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC
    ชุด : HEXFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
    คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8A, 11A
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 15.5 mOhm @ 8A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.35V @ 25µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 766pF @ 15V
    พลังงาน - สูงสุด : 1.5W, 2.4W
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO

    คุณอาจสนใจด้วย