IXYS - GMM3X180-004X2-SMD

KEY Part #: K6523008

GMM3X180-004X2-SMD ราคา (USD) [4147ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$10.96631

ส่วนจำนวน:
GMM3X180-004X2-SMD
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS GMM3X180-004X2-SMD electronic components. GMM3X180-004X2-SMD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GMM3X180-004X2-SMD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GMM3X180-004X2-SMD คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : GMM3X180-004X2-SMD
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET 6N-CH 40V 180A 24-SMD
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
คุณสมบัติของ FET : Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 180A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 110nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
พลังงาน - สูงสุด : -
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 24-SMD, Gull Wing
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 24-SMD

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2040LTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.