ส่วนจำนวน :
SI7964DP-T1-E3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
6.1A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
65nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
PowerPAK® SO-8 Dual
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
PowerPAK® SO-8 Dual