Vishay Siliconix - SI7964DP-T1-E3

KEY Part #: K6523544

[4671ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    SI7964DP-T1-E3
    ผู้ผลิต:
    Vishay Siliconix
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7964DP-T1-E3 electronic components. SI7964DP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7964DP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7964DP-T1-E3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : SI7964DP-T1-E3
    ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
    ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
    ชุด : TrenchFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
    คุณสมบัติของ FET : Standard
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6.1A
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 9.6A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 65nC @ 10V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -
    พลังงาน - สูงสุด : 1.4W
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SO-8 Dual
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SO-8 Dual