Vishay Siliconix - SI4214DY-T1-GE3

KEY Part #: K6523485

SI4214DY-T1-GE3 ราคา (USD) [4149ชิ้นสต็อก]

  • 2,500 pcs$0.11039

ส่วนจำนวน:
SI4214DY-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SI4214DY-T1-GE3 electronic components. SI4214DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4214DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4214DY-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SI4214DY-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
ชุด : TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 8.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 23.5 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 23nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 785pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด : 3.1W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO

คุณอาจสนใจด้วย