Infineon Technologies - BSC072N03LDGATMA1

KEY Part #: K6525270

BSC072N03LDGATMA1 ราคา (USD) [160653ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.23023

ส่วนจำนวน:
BSC072N03LDGATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies BSC072N03LDGATMA1 electronic components. BSC072N03LDGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC072N03LDGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC072N03LDGATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BSC072N03LDGATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 11.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 7.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 41nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3500pF @ 15V
พลังงาน - สูงสุด : 57W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-PowerVDFN
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TDSON-8 Dual