Infineon Technologies - FF8MR12W2M1B11BOMA1

KEY Part #: K6522801

FF8MR12W2M1B11BOMA1 ราคา (USD) [380ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$122.02780

ส่วนจำนวน:
FF8MR12W2M1B11BOMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET MODULE 1200V 150A.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies FF8MR12W2M1B11BOMA1 electronic components. FF8MR12W2M1B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF8MR12W2M1B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF8MR12W2M1B11BOMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FF8MR12W2M1B11BOMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET MODULE 1200V 150A
ชุด : CoolSiC™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Silicon Carbide (SiC)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 150A (Tj)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 7.5 mOhm @ 150A, 15V (Typ)
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5.55V @ 60mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 372nC @ 15V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 11000pF @ 800V
พลังงาน - สูงสุด : 20mW (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : AG-EASY2BM-2

คุณอาจสนใจด้วย
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.