ส่วนจำนวน :
SI4511DY-T1-GE3
ผู้ผลิต :
Vishay Siliconix
ลักษณะ :
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภท FET :
N and P-Channel
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
7.2A, 4.6A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.8V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SO