ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
4.2A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
900mV @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
8.3nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
856pF @ 10V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SOT-26