ส่วนจำนวน :
SSM6N15AFE,LM
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
100mA
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.5V @ 100µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
-
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
7.8pF @ 3V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-563, SOT-666
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
ES6 (1.6x1.6)