GeneSiC Semiconductor - GA04JT17-247

KEY Part #: K6397545

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA04JT17-247 electronic components. GA04JT17-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA04JT17-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : GA04JT17-247

ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor

ลักษณะ : TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

ประเภท FET : -

เทคโนโลยี : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1700V

ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 4A (Tc) (95°C)

ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 4A

Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -

ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -

Vgs (สูงสุด) : -

อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : -

คุณสมบัติของ FET : -

กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 106W (Tc)

อุณหภูมิในการทำงาน : 175°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง : Through Hole

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247AB

แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย

FCD3400N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.
FCD260N65S3

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 260MOHM TO252.
FCD7N60TM

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.
FCD2250N80Z

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.
FDD86250

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.
TK25A60X5,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.