STMicroelectronics - STP24NF10

KEY Part #: K6401324

STP24NF10 ราคา (USD) [56000ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.63551
  • 10 pcs$0.56318
  • 100 pcs$0.44507
  • 500 pcs$0.32651
  • 1,000 pcs$0.25777

ส่วนจำนวน:
STP24NF10
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 26A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STP24NF10 electronic components. STP24NF10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP24NF10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP24NF10 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STP24NF10
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 26A TO-220
ชุด : STripFET™ II
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 26A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 870pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 85W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • LND150N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • DN2530N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 300V 0.175A TO92-3.

  • IRFIBC30GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP.

  • TPC8048-H(TE12L,Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP.

  • SI4628DY-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC.

  • IRF720SPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK.