Taiwan Semiconductor Corporation - RS1JL RVG

KEY Part #: K6453501

RS1JL RVG ราคา (USD) [1467002ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.02521

ส่วนจำนวน:
RS1JL RVG
ผู้ผลิต:
Taiwan Semiconductor Corporation
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA. Rectifiers 250ns 0.8A 600V Fs Recov Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL RVG electronic components. RS1JL RVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1JL RVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1JL RVG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : RS1JL RVG
ผู้ผลิต : Taiwan Semiconductor Corporation
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 800mA
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.3V @ 800mA
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 250ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 600V
ความจุ @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-219AB
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Sub SMA
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • C3D03060E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 3A

  • MMBD1401

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose

  • DA3X101A0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 80V 100MA MINI3.

  • BAS20

    ON Semiconductor

    DIODE GP 200V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 200mA 150V 50n s

  • 1PS59SB10,115

    NXP USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMT3.

  • CMDSH05-45 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 45V 500MA SOD323.