Diodes Incorporated - DMN1004UFDF-13

KEY Part #: K6395956

DMN1004UFDF-13 ราคา (USD) [480532ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.07697

ส่วนจำนวน:
DMN1004UFDF-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMN1004UFDF-13 electronic components. DMN1004UFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN1004UFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN1004UFDF-13 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMN1004UFDF-13
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET N-CH 12V 15A UDFN2020-6
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 12V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 15A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 47nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±8V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2385pF @ 6V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.1W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : U-DFN2020-6
แพ็คเกจ / เคส : 6-UDFN Exposed Pad

คุณอาจสนใจด้วย