Infineon Technologies - IPB017N06N3GATMA1

KEY Part #: K6417620

IPB017N06N3GATMA1 ราคา (USD) [36161ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.08126

ส่วนจำนวน:
IPB017N06N3GATMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPB017N06N3GATMA1 electronic components. IPB017N06N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB017N06N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB017N06N3GATMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPB017N06N3GATMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 180A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 196µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 275nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 23000pF @ 30V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 250W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO263-7
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

คุณอาจสนใจด้วย
  • BS250P

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 45V 230MA TO92-3.

  • IRFR2405TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 56A DPAK.

  • IRFR9024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 55V 11A DPAK.

  • FDD13AN06A0

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK.

  • SPA15N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 13.4A TO220-FP.

  • SPA21N50C3XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 560V 21A TO220FP.