ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V 40A TO-263
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
40A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
6.5 mOhm @ 39.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.5V @ 350µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
24.6nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
1480pF @ 15V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
64W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-263
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB