IXYS - IXTK550N055T2

KEY Part #: K6395291

IXTK550N055T2 ราคา (USD) [6319ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$7.21047
  • 25 pcs$7.17460

ส่วนจำนวน:
IXTK550N055T2
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 55V 550A TO-264.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTK550N055T2 electronic components. IXTK550N055T2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTK550N055T2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTK550N055T2 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTK550N055T2
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 55V 550A TO-264
ชุด : FRFET®, SupreMOS®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 55V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 550A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 595nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 40000pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1250W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-264 (IXTK)
แพ็คเกจ / เคส : TO-264-3, TO-264AA