Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J512NU,LF

KEY Part #: K6411816

SSM6J512NU,LF ราคา (USD) [717463ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.05699
  • 3,000 pcs$0.05671

ส่วนจำนวน:
SSM6J512NU,LF
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J512NU,LF electronic components. SSM6J512NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J512NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J512NU,LF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SSM6J512NU,LF
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B
ชุด : U-MOSVII
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 12V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 10A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 8V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 16.2 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 19.5nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1400pF @ 6V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.25W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 6-UDFNB (2x2)
แพ็คเกจ / เคส : 6-WDFN Exposed Pad

คุณอาจสนใจด้วย
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRLR2705TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 28A DPAK.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

  • IRFR4615TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

  • IRFI734GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220FP.