Samsung Semiconductor - K4B2G1646F-BYNB

KEY Part #: K7359666

[19090ชิ้นสต็อก]

ส่วนจำนวน:: K4B2G1646F-BYNB

ผู้ผลิต:: Samsung Semiconductor

คำอธิบายโดยละเอียด:: 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: มีสินค้า

อายุการเก็บรักษา:: หนึ่งปี

ชิปจาก:: ฮ่องกง

เป็นไปตามมาตรฐาน:

วิธีการชำระเงิน:

วิธีการจัดส่ง:

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: DDR4, DDR3, LPDDR3, LPDDR4X, LPDDR5, MODULE, SLC Nand and GDDR5 ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G1646F-BYNB electronic components. K4B2G1646F-BYNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G1646F-BYNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4B2G1646F-BYNB คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : K4B2G1646F-BYNB

ผู้ผลิต : Samsung Semiconductor

ลักษณะ : 2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production

ชุด : DDR3

ความหนาแน่น : 2 Gb

องค์กร : 128M x 16

ความเร็ว : 2133 Mbps

แรงดันไฟฟ้า : 1.35 V

ชั่วคราว : 0 ~ 85 °C

บรรจุภัณฑ์ : 96FBGA

สถานะสินค้า : Mass Production

ข่าวล่าสุด

Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology

Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018

Speed for the next generation of mobile devices

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)

5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living

NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters

[Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

คุณอาจสนใจด้วย

K3UH5H50AM-AGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-EGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-JGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-AGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-EGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH7H70AM-AGCL

Samsung Semiconductor

64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

อะไหล่ร้อน

English ภาษาไทย