หากตำแหน่งของคุณไม่อยู่ในรายการโปรดเลือกหนึ่งในรายการต่อไปนี้:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

หากตำแหน่งของคุณไม่อยู่ในรายการโปรดเลือกหนึ่งในรายการต่อไปนี้:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. บ้าน
  2. ผลิตภัณฑ์
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G0846D-BYNB

Samsung Semiconductor - K4B4G0846D-BYNB

KEY Part #: K7359676

[27150ชิ้นสต็อก]

    ส่วนจำนวน:
    K4B4G0846D-BYNB
    ผู้ผลิต:
    Samsung Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: LPDDR5, DDR3, LPDDR3, LPDDR4X, DDR4, HBM Aquabolt, HBM Flarebolt and SLC Nand ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G0846D-BYNB electronic components. K4B4G0846D-BYNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G0846D-BYNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G0846D-BYNB คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : K4B4G0846D-BYNB
    ผู้ผลิต : Samsung Semiconductor
    ลักษณะ : 4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    ชุด : DDR3
    ความหนาแน่น : 4 Gb
    องค์กร : 512M x 8
    ความเร็ว : 2133 Mbps
    แรงดันไฟฟ้า : 1.35 V
    ชั่วคราว : 0 ~ 85 °C
    บรรจุภัณฑ์ : 78FBGA
    สถานะสินค้า : Mass Production

    ข่าวล่าสุด

    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    How Will 5G Impact on Memory?
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    คุณอาจสนใจด้วย
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    อะไหล่ร้อน