หากตำแหน่งของคุณไม่อยู่ในรายการโปรดเลือกหนึ่งในรายการต่อไปนี้:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

หากตำแหน่งของคุณไม่อยู่ในรายการโปรดเลือกหนึ่งในรายการต่อไปนี้:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. บ้าน
  2. ผลิตภัณฑ์
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646D-BYH9

Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BYH9

KEY Part #: K7359695

[20056ชิ้นสต็อก]

    ส่วนจำนวน:
    K4B4G1646D-BYH9
    ผู้ผลิต:
    Samsung Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    4 Gb 256M x 16 1333 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: SLC Nand, DDR3, LPDDR4, LPDDR3, LPDDR5, MODULE, HBM Aquabolt and GDDR5 ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BYH9 electronic components. K4B4G1646D-BYH9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646D-BYH9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BYH9 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : K4B4G1646D-BYH9
    ผู้ผลิต : Samsung Semiconductor
    ลักษณะ : 4 Gb 256M x 16 1333 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    ชุด : DDR3
    ความหนาแน่น : 4 Gb
    องค์กร : 256M x 16
    ความเร็ว : 1333 Mbps
    แรงดันไฟฟ้า : 1.35 V
    ชั่วคราว : 0 ~ 85 °C
    บรรจุภัณฑ์ : 96FBGA
    สถานะสินค้า : Mass Production

    ข่าวล่าสุด

    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    คุณอาจสนใจด้วย
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    อะไหล่ร้อน