JAN1N5420 ราคา (USD) [6604ชิ้นสต็อก]
- 1 pcs$5.94064
- 10 pcs$5.34481
- 25 pcs$4.86956
- 100 pcs$4.39444
- 250 pcs$4.03813
- 500 pcs$3.68183
- ส่วนจำนวน:
- JAN1N5420
- ผู้ผลิต:
- Microsemi Corporation
- คำอธิบายโดยละเอียด:
- DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 3A FAST 600V HR
- Manufacturer's standard lead time:
- มีสินค้า
- อายุการเก็บรักษา:
- หนึ่งปี
- ชิปจาก:
- ฮ่องกง
- เป็นไปตามมาตรฐาน:
- วิธีการชำระเงิน:
-
- วิธีการจัดส่ง:
- หมวดหมู่ครอบครัว:
- KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
- ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
- We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5420 electronic components. JAN1N5420 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5420, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JAN1N5420 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์
ส่วนจำนวน :
JAN1N5420
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
ชุด :
Military, MIL-PRF-19500/411
สถานะส่วนหนึ่ง :
Active
ประเภทไดโอด :
Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.5V @ 9A
ความเร็ว :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
400ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
1µA @ 600V
ความจุ @ Vr, F :
-
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
B, Axial
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
B, Axial
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-65°C ~ 175°C
คุณอาจสนใจด้วย
-
VS-HFA04SD60S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED
-
VS-EPH3006LHN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
-
SFA808G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier
-
STTH3010PI
STMicroelectronics
DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode
-
-
อะไหล่ร้อน
- APT10SCE120B
- MBR3100VP-G1
- FR206TA
- CMR3U-04 BK
- CMR3U-01 BK
- VS-18TQ035SPBF
- BAY80-TAP
- SS3H10HE3_A/H
- VS-6TQ035STRRPBF
- BAS1602WH6327XTSA1
- APT20SCD120B
- MBRF750HE3/45
- STPS30SM60D
- S5JHE3/9AT
- 1N3743G R G
- SR304-T-F
- GPP60D-E3/54
- 20ETF12FP
- DGP30HE3/54
- S3520
- MX1H5615
- MA3X028TAL
- USD245
- D6025L
- RK 14V1
- STTH8L06DIRG
- 1N5293UR-1
- 1N4002RL
- 20ETF02STRR
- UF4007 TR
- BY329-1200,127
- S1G-F
- 1F1-TP
- UF5406-AP
- 1N649UR-1
- FESF16HTHE3/45
- FES8AT-E3/45
- RP 3FV4
- RFN5BM2SFHTL
- BAS283-GS18