Diodes Incorporated - DMN5L06W-7

KEY Part #: K6407998

[779ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    DMN5L06W-7
    ผู้ผลิต:
    Diodes Incorporated
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Diodes Incorporated DMN5L06W-7 electronic components. DMN5L06W-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN5L06W-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    DMN5L06W-7 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : DMN5L06W-7
    ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 50V 280MA SC70-3
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 50V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 280mA (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 2.7V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 200mA, 2.7V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.2V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 50pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 200mW (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-323
    แพ็คเกจ / เคส : SC-70, SOT-323