ส่วนจำนวน :
FGH30T65UPDT-F155
ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
IGBT 650V 60A 250W TO247-3
สถานะส่วนหนึ่ง :
Not For New Designs
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
60A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
90A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.3V @ 15V, 30A
การสลับพลังงาน :
760µJ (on), 400µJ (off)
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
22ns/139ns
ทดสอบสภาพ :
400V, 30A, 8 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
43ns
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-247 Long Leads