Renesas Electronics America - NP60N04VUK-E1-AY

KEY Part #: K6404088

[2132ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    NP60N04VUK-E1-AY
    ผู้ผลิต:
    Renesas Electronics America
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Renesas Electronics America NP60N04VUK-E1-AY electronic components. NP60N04VUK-E1-AY can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NP60N04VUK-E1-AY, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NP60N04VUK-E1-AY คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : NP60N04VUK-E1-AY
    ผู้ผลิต : Renesas Electronics America
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Active
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 40V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 60A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.85 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 63nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3680pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.2W (Ta), 105W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-252
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63