Infineon Technologies - IRLR3715PBF

KEY Part #: K6404046

[2147ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRLR3715PBF
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IRLR3715PBF electronic components. IRLR3715PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR3715PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR3715PBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRLR3715PBF
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
    ชุด : HEXFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 54A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 26A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 17nC @ 4.5V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1060pF @ 10V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 3.8W (Ta), 71W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-Pak
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    คุณอาจสนใจด้วย
    • ZVP0120ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET P-CH 200V 0.11A TO92-3.

    • 2SK3309(TE24L,Q)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.

    • FQD3N50CTF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK.

    • IRLR3715TRRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 54A DPAK.

    • IXTY55N075T

      IXYS

      MOSFET N-CH 75V 55A TO-252.

    • HUF75829D3S

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.