ส่วนจำนวน :
FS50R12KE3BOSA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
IGBT MODULE 1200V 50A
องค์ประกอบ :
Three Phase Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
75A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.15V @ 15V, 50A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
5mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
3.5nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Module