ส่วนจำนวน :
APT50GT120JRDQ2
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
IGBT 1200V 72A 379W SOT227
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
72A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
3.7V @ 15V, 50A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
400µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
2.5nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
ISOTOP®