Infineon Technologies - F3L200R12W2H3B11BPSA1

KEY Part #: K6534527

F3L200R12W2H3B11BPSA1 ราคา (USD) [1046ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$44.42581

ส่วนจำนวน:
F3L200R12W2H3B11BPSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
IGBT MODULE VCES 650V 200A.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies F3L200R12W2H3B11BPSA1 electronic components. F3L200R12W2H3B11BPSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for F3L200R12W2H3B11BPSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

F3L200R12W2H3B11BPSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : F3L200R12W2H3B11BPSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : IGBT MODULE VCES 650V 200A
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : Three Phase Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 100A
พลังงาน - สูงสุด : 600W
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : 1.75V @ 15V, 100A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 1mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : 11.5nF @ 25V
อินพุต : Standard
เทอร์มิสเตอร์ NTC : Yes
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส : Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Module