ON Semiconductor - NTLJD3115PT1G

KEY Part #: K6521883

NTLJD3115PT1G ราคา (USD) [432588ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.08550
  • 3,000 pcs$0.08146

ส่วนจำนวน:
NTLJD3115PT1G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - SCRs and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor NTLJD3115PT1G electronic components. NTLJD3115PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLJD3115PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTLJD3115PT1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : NTLJD3115PT1G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2.3A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 531pF @ 10V
พลังงาน - สูงสุด : 710mW
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 6-WDFN Exposed Pad
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 6-WDFN (2x2)

คุณอาจสนใจด้วย
  • 2N5461

    ON Semiconductor

    JFET P-CH 40V 0.35W TO92.

  • 2N5458

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 0.31W TO92.

  • PN4392

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 30V 625MW TO92.

  • J112,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J113,126

    NXP USA Inc.

    JFET N-CH 40V 400MW TO92-3.

  • J177,126

    NXP USA Inc.

    JFET P-CH 30V 400MW TO92-3.