Nexperia USA Inc. - PSMN057-200B,118

KEY Part #: K6402963

PSMN057-200B,118 ราคา (USD) [89861ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.87801
  • 10 pcs$0.79439
  • 100 pcs$0.63823

ส่วนจำนวน:
PSMN057-200B,118
ผู้ผลิต:
Nexperia USA Inc.
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN057-200B,118 electronic components. PSMN057-200B,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN057-200B,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN057-200B,118 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : PSMN057-200B,118
ผู้ผลิต : Nexperia USA Inc.
ลักษณะ : MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
ชุด : TrenchMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 39A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 57 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 96nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3750pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 250W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D2PAK
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

คุณอาจสนใจด้วย