Toshiba Semiconductor and Storage - SSM6J507NU,LF

KEY Part #: K6421479

SSM6J507NU,LF ราคา (USD) [603363ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.06777
  • 3,000 pcs$0.06743

ส่วนจำนวน:
SSM6J507NU,LF
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J507NU,LF electronic components. SSM6J507NU,LF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM6J507NU,LF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SSM6J507NU,LF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SSM6J507NU,LF
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
ชุด : U-MOSVI
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 10A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20.4nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : +20V, -25V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1150pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.25W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 6-UDFNB (2x2)
แพ็คเกจ / เคส : 6-WDFN Exposed Pad

คุณอาจสนใจด้วย