Vishay Siliconix - SQ1464EEH-T1_GE3

KEY Part #: K6421466

SQ1464EEH-T1_GE3 ราคา (USD) [586266ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.06309

ส่วนจำนวน:
SQ1464EEH-T1_GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHAN 60V SC-70.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SQ1464EEH-T1_GE3 electronic components. SQ1464EEH-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQ1464EEH-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ1464EEH-T1_GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SQ1464EEH-T1_GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CHAN 60V SC-70
ชุด : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 440mA (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 1.41 Ohm @ 2A, 1.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : ±8V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 140pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 430mW (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SC-70-6
แพ็คเกจ / เคส : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

คุณอาจสนใจด้วย