Diodes Incorporated - BSS123ATA

KEY Part #: K6412424

[13450ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    BSS123ATA
    ผู้ผลิต:
    Diodes Incorporated
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Diodes Incorporated BSS123ATA electronic components. BSS123ATA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS123ATA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS123ATA คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : BSS123ATA
    ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 170mA (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 25pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 360mW (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-23-3
    แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • IRLR3705Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • IRFR2307Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR2607Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 75V 42A DPAK.

    • IRFR1010Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

    • GP2M002A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.

    • IRFR4104TRR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.