Infineon Technologies - IDP30E120XKSA1

KEY Part #: K6441302

IDP30E120XKSA1 ราคา (USD) [32584ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.87801
  • 10 pcs$0.78854
  • 100 pcs$0.63380
  • 500 pcs$0.52073
  • 1,000 pcs$0.43146

ส่วนจำนวน:
IDP30E120XKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IDP30E120XKSA1 electronic components. IDP30E120XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP30E120XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP30E120XKSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IDP30E120XKSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO220-2
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 50A (DC)
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 2.15V @ 30A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 243ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 100µA @ 1200V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-2
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO220-2-2
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-E4PH6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-EPH3006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • VS-E4PU6006LHN3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SFA808G C0G

    Taiwan Semiconductor Corporation

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier

  • STTH3010PI

    STMicroelectronics

    DIODE GEN PURP 1KV 30A DOP3I. Diodes - General Purpose, Power, Switching high voltage diode