ผู้ผลิต :
GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ :
DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภทไดโอด :
Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) :
14.6A (DC)
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.5V @ 15A
ความเร็ว :
No Recovery Time > 500mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
0ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
5µA @ 650V
ความจุ @ Vr, F :
1107pF @ 1V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-276
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-55°C ~ 250°C