IXYS - IXTH20N60

KEY Part #: K6413343

IXTH20N60 ราคา (USD) [9197ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$5.17902
  • 30 pcs$5.15325

ส่วนจำนวน:
IXTH20N60
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTH20N60 electronic components. IXTH20N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTH20N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH20N60 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTH20N60
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD
ชุด : MegaMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 20A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4500pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247 (IXTH)
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRF5802TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • 2N7000RLRMG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • BTS282Z E3180A

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • FQD4P25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK.

  • FQD4N25TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 3A DPAK.

  • IRLR8113TR

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.