Infineon Technologies - IRLR024ZPBF

KEY Part #: K6411948

[13614ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IRLR024ZPBF
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - SCRs and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IRLR024ZPBF electronic components. IRLR024ZPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR024ZPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLR024ZPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IRLR024ZPBF
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 55V 16A DPAK
    ชุด : HEXFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 55V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 16A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 58 mOhm @ 9.6A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 9.9nC @ 5V
    Vgs (สูงสุด) : ±16V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 380pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 35W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-Pak
    แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    คุณอาจสนใจด้วย
    • DMN3026LVT-7

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

    • ZVN2106A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

    • IRLR8113TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

    • IRFR3710ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 42A DPAK.

    • IRFR1010ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.