GeneSiC Semiconductor - 1N3211

KEY Part #: K6425062

1N3211 ราคา (USD) [12474ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.30352
  • 100 pcs$2.38635

ส่วนจำนวน:
1N3211
ผู้ผลิต:
GeneSiC Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 300V 15A DO5. Rectifiers 300V 15A Std. Recovery
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ไทริสเตอร์ - SCRs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3211 electronic components. 1N3211 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3211, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3211 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : 1N3211
ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 300V 15A DO5
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 300V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 15A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.5V @ 15A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 50V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Chassis, Stud Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-203AB, DO-5, Stud
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-5
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 175°C
คุณอาจสนใจด้วย
  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier

  • VS-20ETS08SPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.