EPC - EPC2007

KEY Part #: K6406612

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in EPC EPC2007 electronic components. EPC2007 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2007, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : EPC2007

ผู้ผลิต : EPC

ลักษณะ : GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE

ชุด : eGaN®

สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete

ประเภท FET : N-Channel

เทคโนโลยี : GaNFET (Gallium Nitride)

ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V

ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 6A (Ta)

ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 5V

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 30 mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.5V @ 1.2mA

ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 2.8nC @ 5V

Vgs (สูงสุด) : +6V, -5V

อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 205pF @ 50V

คุณสมบัติของ FET : -

กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : -

อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 125°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : Die Outline (5-Solder Bar)

แพ็คเกจ / เคส : Die

คุณอาจสนใจด้วย

IRFR3410TRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 31A DPAK.
IRFR1018ETRRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 60V 79A DPAK.
IRLR024ZTRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.
TK40P04M1(T6RSS-Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.
TP0610K-T1

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23.
2N7002E

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23.