Texas Instruments - CSD19536KTT

KEY Part #: K6400638

CSD19536KTT ราคา (USD) [32303ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.40074
  • 500 pcs$1.39378
  • 1,000 pcs$1.17547

ส่วนจำนวน:
CSD19536KTT
ผู้ผลิต:
Texas Instruments
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 200A TO263.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Texas Instruments CSD19536KTT electronic components. CSD19536KTT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD19536KTT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD19536KTT คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : CSD19536KTT
ผู้ผลิต : Texas Instruments
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 200A TO263
ชุด : NexFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 200A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.2V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 153nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 12000pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 375W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DDPAK/TO-263-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA