Infineon Technologies - IPP12CNE8N G

KEY Part #: K6409810

[153ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    IPP12CNE8N G
    ผู้ผลิต:
    Infineon Technologies
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 85V 67A TO-220.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Infineon Technologies IPP12CNE8N G electronic components. IPP12CNE8N G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP12CNE8N G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP12CNE8N G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : IPP12CNE8N G
    ผู้ผลิต : Infineon Technologies
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
    ชุด : OptiMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 85V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 67A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 12.9 mOhm @ 67A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 83µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 64nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 4340pF @ 40V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 125W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO220-3
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • FDD8778

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 25V 35A DPAK.

    • PSMN2R2-40PS,127

      Nexperia USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB.

    • SN7002N E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002N E6327

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23.

    • SN7002W E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323.

    • SPB80N03S2L-03

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK.