ON Semiconductor - FQN1N50CBU

KEY Part #: K6409378

[302ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FQN1N50CBU
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor FQN1N50CBU electronic components. FQN1N50CBU can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQN1N50CBU, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQN1N50CBU คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FQN1N50CBU
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92
    ชุด : QFET®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 500V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 380mA (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 190mA, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 6.4nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 195pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-92-3
    แพ็คเกจ / เคส : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

    คุณอาจสนใจด้วย
    • BS170P

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

    • FQN1N50CBU

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92.

    • FQD2N90TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 900V 1.7A DPAK.

    • FDD6N50TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

    • SPA03N60C3XKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220.

    • SPA07N65C3XKSA1

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220.