IXYS - IXTA05N100

KEY Part #: K6394703

IXTA05N100 ราคา (USD) [34636ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.07034
  • 10 pcs$0.96581
  • 100 pcs$0.77612
  • 500 pcs$0.60364
  • 1,000 pcs$0.50015

ส่วนจำนวน:
IXTA05N100
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTA05N100 electronic components. IXTA05N100 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTA05N100, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA05N100 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTA05N100
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-263
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1000V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 750mA (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 7.8nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 260pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 40W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263 (IXTA)
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB