Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG20JHE3_A/H

KEY Part #: K6439623

BYG20JHE3_A/H ราคา (USD) [610930ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.06054
  • 7,200 pcs$0.05536

ส่วนจำนวน:
BYG20JHE3_A/H
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214. Rectifiers 1.5A,600V,75nS AVAL AEC-Q101 Qualified
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG20JHE3_A/H electronic components. BYG20JHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG20JHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG20JHE3_A/H คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BYG20JHE3_A/H
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Avalanche
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1.5A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.4V @ 1.5A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 75ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1µA @ 600V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-214AC, SMA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AC (SMA)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-6EWL06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast

  • BAV18-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 60 Volt 625mA

  • BAT42-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Volt 200mA 4.0 Amp IFSM

  • BAT82S-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 30MA DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 150mA 50 Volt 500mA IFSM

  • SD103A-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 40V SGL DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40 Volt 15A IFSM

  • BAV19-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA