STMicroelectronics - STP11N52K3

KEY Part #: K6398954

STP11N52K3 ราคา (USD) [28953ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.42346
  • 10 pcs$1.27274
  • 100 pcs$0.98998
  • 500 pcs$0.80162

ส่วนจำนวน:
STP11N52K3
ผู้ผลิต:
STMicroelectronics
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 525V 10A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in STMicroelectronics STP11N52K3 electronic components. STP11N52K3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP11N52K3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP11N52K3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : STP11N52K3
ผู้ผลิต : STMicroelectronics
ลักษณะ : MOSFET N-CH 525V 10A TO-220
ชุด : SuperMESH3™
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 525V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 10A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 510 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 50µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1400pF @ 50V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • DN3545N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 450V 0.136A TO92-3.

  • VP2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.1A TO92-3.

  • TP0620N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 200V 0.175A TO92-3.

  • TN0606N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3.

  • VN2450N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 0.2A TO92-3.

  • TK3R1A04PL,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.