Infineon Technologies - IPP200N15N3GXKSA1

KEY Part #: K6399478

IPP200N15N3GXKSA1 ราคา (USD) [27833ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.28244
  • 10 pcs$1.10086
  • 100 pcs$0.88453
  • 500 pcs$0.68798
  • 1,000 pcs$0.57004

ส่วนจำนวน:
IPP200N15N3GXKSA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPP200N15N3GXKSA1 electronic components. IPP200N15N3GXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPP200N15N3GXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP200N15N3GXKSA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPP200N15N3GXKSA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 150V 50A TO220-3
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 150V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 50A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 8V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 90µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 31nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1820pF @ 75V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO220-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.