Microchip Technology - TN0110N3-G-P002

KEY Part #: K6392810

TN0110N3-G-P002 ราคา (USD) [126107ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.30049
  • 2,000 pcs$0.29900

ส่วนจำนวน:
TN0110N3-G-P002
ผู้ผลิต:
Microchip Technology
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Microchip Technology TN0110N3-G-P002 electronic components. TN0110N3-G-P002 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TN0110N3-G-P002, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TN0110N3-G-P002 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TN0110N3-G-P002
ผู้ผลิต : Microchip Technology
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 350mA (Tj)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 500µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 60pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-92-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
คุณอาจสนใจด้วย